发布日期：2022-04-19 13:31:29 文章来源：中国电子报、电子信息产业网
碳化硅较硅更能满足高温、高压、高频等需求，下游应用领域广泛
碳化硅属于第三代半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和 漂移速率高等特点。碳化硅为第三代半导体材料典型代表，相较于硅材料等前两代半导体 材料，其禁带宽度更大，在击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键 参数方面有显著优势。基于这些优良特性，碳化硅衬底在使用极限性能上优于硅衬底，可 以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求。因此，碳化硅材料制备的射频器 件及功率器件可广泛应用于新能源汽车、光伏、5G 通信等领域，是半导体材料领域中具备 广阔前景的材料之一。
碳化硅用于制作功率及射频器件，产业链包括衬底制备、外延层生长、器件及下游应用。根据电化学性质不同，碳化硅晶体材料分为半绝缘型衬底（电阻率高于 10 5Ω·cm）和导 电型衬底（电阻率区间 15~30mΩ·cm）。不同于传统硅基器件，碳化硅器件不可直接制作 于衬底上，需先使用化学气相沉积法在衬底表面生成所需薄膜材料，即形成外延片，再进 一步制成器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延 片，可制成 HEMT 等微波射频器件，适用于高频、高温工作环境，主要应用于 5G 通信、 卫星、雷达等领域。在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一 步制成碳化硅二极管、碳化硅 MOSFET 等功率器件，适用于高温、高压工作环境，且损耗 低，主要应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域。
国内外厂商积极布局碳化硅，产业链日趋完善。以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳 化硅衬底制备、外延层生长、器件及模组制造三大环节。伴随更多厂商布局碳化硅赛道， 产业链加速走向成熟。目前，碳化硅行业企业形成两种商业模式，第一种覆盖完整产业链 各环节，同时从事碳化硅衬底、外延、器件及模组的制作，例如 Wolfspeed、Rohm；第二 种则只从事产业链的单个环节或部分环节，如Ⅱ-Ⅵ仅从事衬底及外延的制备，英飞凌则只 负责器件及模组的制造。当前，国内的碳化硅生产厂商大多属于第二种商业模式，聚焦产 业链部分环节。
SiC 较 IGBT 具备耐高压、低损耗和高频三大核心优势
SiC MOSFET 较 IGBT 可同时具备耐高压、低损耗和高频三大优势。1）碳化硅击穿电场强 度是硅的十余倍，使得碳化硅器件耐高压特性显著高于同等硅器件。2）碳化硅具有 3 倍于 硅的禁带宽度，使得 SiC MOSFET 泄漏电流较硅基 IGBT 大幅减少，降低导电损耗。同时， SiC MOSFET 属于单极器件，不存在拖尾电流，且较高的载流子迁移率减少了开关时间， 开关损耗因此得以降低。根据 Rohm 的研究，相同规格的碳化硅 MOSFET 较硅基 IGBT 的 总能量损耗可大大减低 73%。3）涵盖 MOSFET 自身特点，较 IGBT 具备高频优势。此外， 据 Wolfspeed 研究显示，相同规格的碳化硅基 MOSFET 与硅基 MOSFET 相比，其尺寸可 大幅减少至原来的 1/10。
碳化硅助力新能源汽车实现轻量化及降低损耗，增加续航里程。1）碳化硅较硅拥有更高热 导率，散热容易且极限工作温度更高，可有效降低汽车系统中散热器的体积和成本。同时， SiC 材料较高的载流子迁移率使其能够提供更高电流密度，在相同功率等级中，碳化硅功率 模块的体积显著小于硅基模块，进一步助力新能源汽车实现轻量化。2）SiC MOSFET 器件 较硅基 IGBT 在开关损耗、导电损耗等方面具备显著优势，其在新能源汽车的应用可有效降 低损耗。根据丰田官网，丰田预测 SiC MOSFET 的应用有助于提升电动车的续航里程约 5%-10%。3）由于 SiC 材料具备更高的功率密度，所以同等功率下，SiC 器件的体积可以 缩小至 1/2 甚至更低；4）由于 SiC MOSFET 的高频特性，SiC 的应用能够显著减少电容、 电感等被动元件的应用，简化周边电路设计。
从特斯拉的方案来看，主逆变器采用 SiC 能显著降低损耗和提升功率密度。特斯拉 Model 3 在主逆变器中率先采用 SiC 方案（搭意法半导体的 SiC MOSFET 模组），替代原先 Model X 主逆变器方案（搭载英飞凌的 IGBT 单管）。对比产品参数可知，所用 SiC MOSFET 的反应 恢复时间和开关损耗均显著降低。同时，Model 3 主逆变器上有 24 个 SiC 模块，每个模块内含 2 颗 SiC 裸晶，共用到 48 颗 SiC MOSFET， 如果仍采用 Model X 的 IGBT，则需要 54-60 颗。该方案使得 Model 3 主逆变器的整体结构 更为简洁、整体质量和体积更轻、功率密度更高。（报告来源：未来智库）
乘碳中和之东风，2025 年市场规模有望较 2020 年翻 5 倍
2020 年全球 SiC 器件市场规模达 11.84 亿美元，预计到 2025 年有望增长至 59.79 亿美元， 对应 CAGR 为 38.2%。根据我们的测算，在碳中和趋势下，受益于 SiC 在新能源汽车、光 伏、风电、工控等领域的持续渗透，SiC 功率器件市场规模有望从 2020 年的 2.92 亿美元 增长至 2025 年的 38.58 亿美元，对应 CAGR 为 67.6%；5G、国防驱动 GaN-on-SiC 射频 器件加速渗透，逐步取代硅基 LDMOS，SiC 射频器件市场规模有望从 2020 年的 8.92 亿美 元增长至 2025 年的 21.21 亿美元，对应 CAGR 为 18.9%。下游 SiC 功率及射频器件高速 增长的需求也将带动 SiC 材料市场规模快速成长，按照 SiC 材料在 SiC 器件中价值量占比 50%计算（根据 CASA），预计将由 2020 年的 5.92 亿美元增长至 2025 年的 29.90 亿美元， 对应 CAGR 为 38.2%。
从下游领域来看，我们认为新能源汽车为 SiC 市场的核心驱动力。新能源汽车逐步向 800V 架构时代迈进，SiC 相比于 IGBT 在耐高压、耐高温、频率、损耗、质量体积等方面优势更 加明显。同时随着全球产能开出及良率提升，SiC 价格下探将驱动其在新能源车中的逆变器、 OBC 等部件中加速渗透。根据 Wolfspeed 和我们的测算，2020 年全球 SiC 器件市场规模 中，新能源汽车领域占比约为 22.51%，随着 SiC 在主逆变器和 OBC 中的加速渗透，我们 预计到 2025 年占比将提升至 50.26%，为第一大驱动力。此外，基于 SiC 较 IGBT 的性能 优势，随着 SiC 器件及模块成本的下降，我们预计 SiC 在光伏、风电等新能源发电领域渗 透率也将逐步提升，预计市场规模占比到 2025 年提升至 8.84%；工控市场规模占比到 2025 年提升至 5.43%。
海外厂商普遍看好 SiC 市场空间，相关业务业绩展望乐观
Wolfspeed 看好碳化硅器件与材料广阔市场空间,预计 2026 年将分别突破 89/17 亿美元。（1）碳化硅器件方面，Wolfspeed 预计 2022年市场规模将达到 43 亿美元，2024 年进一 步增长至 66 亿美元，并于 2026 年突破 89 亿美元。碳化硅器件市场增长驱动力主要来自 电动汽车、射频、工业及能源领域，其中，在电动汽车大势所驱背景下，碳化硅材料在 400V 和 800V 充电架构中的优势日益凸显，Wolfspeed 预计 2026年汽车器件将占据超 50%的市 场规模，2023-2026 年 CAGR 达 30%；此外，随成本下降，碳化硅器件在工业市场的应用 将更加广泛，Wolfspeed 预计远期有望创造超 400 亿美元市场空间。
（2）碳化硅材料方面， Wolfspeed 认为市场供应将持续增加，但产能仍将供不应求，Wolfspeed 预计 2022 年碳化 硅材料市场达 7 亿美元，2024 年进一步增长至 12 亿美元，并于 2026 年突破 17 亿美元， 2022 至 2026 年增长近 2.5 倍。同时，公司预期 150mm 向 200mm 工艺节点的转变将带来 成本优化，进一步促进市场需求扩增。
市场空间逐步打开，碳化硅材料及器件主要供应商业绩展望乐观。Wolfspeed 为全球碳化 硅材料及器件龙头供应商之一，据 Yole 及 Wolfspeed 测算，Wolfspeed 在碳化硅材料市场 份额长期稳定在 60%以上。截止 2021 年 11 月，与意法半 导体、英飞凌、安森美等客户签订的长期意向订单达 13 亿美元。Wolfspeed 预计在电动汽 车及 5G 等终端对碳化硅器件的强劲需求驱动下，2024 财年公司营收有望达 15 亿美元， 2026 财年增长至 21 亿美元。英飞凌同样为推动半导体行业从硅基向碳化硅基发展的核心 力量之一，公司测算 2021 年碳化硅相关收入为 2 亿美元，预期 2025 年将突破 10 亿美元， 占据全球市场 30%市场份额。此外，安森美和意法半导体预期公司碳化硅相关收入将分别 于 2023 年和 2024 年突破 10 亿美金。
竞争格局：衬底及外延市场集中度高，器件领域海外厂商占绝对主导
碳化硅衬底市场高度集中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ全面领先。碳化硅衬底为碳化硅产业链核心环 节，据 Yole 数据，2020 年半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底市场规模分别达 1.82 亿、 2.76 亿美元。其中，1）Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ、山东天岳三家寡头垄断半绝缘型碳化硅衬底市 场。2020 年 Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ及山东天岳占据 98%市场份额，市场高度集中。从产品规格 上看，Wolfspeed 已实现 4 英寸及 6 英寸产品量产并开始建设 8 英寸产线，国内厂商山东天 岳虽市占率行业领先，但公司预计 2023 年方能实现 6 英寸产品量产，仍存在一定差距。2） 导电型碳化硅衬底市场 Wolfspeed 一家独大。Wolfspeed 凭借较早布局先发优势，在良率及 产能上遥遥领先，2020 年占据 60%市场份额，Ⅱ-Ⅵ以 11%市场份额位居第二。
Wolfspeed、Showa Denko 双寡头垄断碳化硅外延片市场。碳化硅外延片属于行业产业链 中间环节，参与厂商多为 IDM 公司，Industry Research 测算 2020 年全球碳化硅外延片市 场规模约为 1.72 亿美元。据 Yole 数据，2020 年 Wolfspeed 与 Showa Denko 分别占据碳 化硅导电型外延片市场52%和43%的市场份额，合计高达95%，具备显著的制备技术优势。其他碳化硅外延供应商包括Ⅱ-Ⅵ、Norstel、罗姆、三菱电机、英飞凌，占据市场较小份额。国内碳化硅外延片主要制造厂商有瀚天天成和东莞天域半导体，两者均已具备供应 4-6 英 寸外延片实力，待产能进一步释放。
欧美厂商占据 SiC 功率器件市场主要份额。SiC 功率器件制造工艺壁垒较高，目前市场主 要厂商为传统硅基功率器件巨头及借助 SiC 材料介入器件领域的新锐玩家 Wolfspeed，市 场集中度高于 IGBT 器件及模块市场。据 Yole 数据，2020 年全球碳化硅功率器件市场规模 约 5~6 亿美元，市场 CR5 达 90.8%，显著高于 IGBT 器件及模块市场的 62.8%和 66.7%， 欧美厂商占据主要市场份额。其中，意法半导体成功研制全球第一款大规模应用于电动汽 车的 SiC MOSFET 模块，与特斯拉的合作为其累积大量市场份额，2020 年达 40.5%。国 内厂商在 SiC 功率器件领域入局较晚，主要玩家泰科天润、基本半导体、华润微等市场份 额较小，但由于行业处于早期阶段，格局尚未定型，国内厂商仍有较大替代空间。（报告来源：未来智库）
新能源汽车：800V 架构下的甜蜜时刻，SiC 渗透的核心驱动力
SiC 功率器件主要包括 SBD、JFET、MOSFET 和模块，在新能源汽车相关应用场景主要为 逆变器、OBC、及直流充电桩。我们认为当前碳化硅渗透仍处于早期，主要器件类型为 SiC 二极管，以及在高端车系应用，目前渗透率较低。未来随着：1）特斯拉、比亚迪等头部新能 源车厂带来的“示范效应”，更多车企将会逐步采用 SiC 方案；2）碳化硅器件价格逐步下降， 成本经济效益不断提升；3）800V 架构时代来临，SiC 在高压下较 IGBT 性能优势更为明显， 损耗降低幅度更大。我们认为 SiC 在新能源车主逆变器及 OBC 中渗透率将快速提升。
碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速渗透期。2018 年，特斯拉 Model 3 率先使用由意 法半导体提供的 SiC MOSFET，开启电动汽车使用 SiC 先河，随后比亚迪、保时捷、丰田 等汽车制造商陆续推出应用碳化硅器件新车型。其中，在 2020 年比亚迪汉搭载自主研发制 造的 SiC MOSFET 控制模块，整体加速性能及续航能力均得到显著提升。2021 年，碳化 硅器件在新能源汽车中应用进入快速增长阶段，国内外众多车型均开始应用碳化硅器件。根据各公司公告信息，我们可以看到在未来几年，小鹏、捷豹、路虎、雷诺等越来越多的 厂商将在其新车型中使用 SiC 器件，新能源汽车中应用 SiC 器件以提升性能、实现轻量化 为大势所趋。
新能源车充电及里程焦虑凸显，800V 架构时代来临
充电焦虑逐渐成为当前电动车产业化关键的问题，800V 架构是解决充电焦虑的主流方案。电动车普及过程中主要面临续航和充电两大问题。续航里程目前已不是最大阻碍，根据蔚 来、特斯拉、小鹏等的官网，主流品牌电动车续航里程约在 500 公里左右，即将推出的蔚 来 ET7、理想 X01 等预计续航里程超 800 公里。对于提升充电效率，方案包括换电及大功 率快充。由于各品牌各车型电池差异，换电站推广较为依赖车企自建，普适性低且成本高。大功率充电包括大电流和高电压两种方案，大电流方案代表企业为特斯拉，根据焦耳定律， 该方案将显著增加充电过程中的热量，需要更粗的线束同时对系统散热要求更高。此外， 根据新出行测评，特斯拉大电流 V3 超充桩在大部分时间内并不能达到最大功率充电。
目前，高压快充已成为大功率快充主流方案，提升充电速度的同时，减小电损耗。2019 年 保时捷推出全球首个量产的 800V 架构电动车 Taycan，可实现充电 15 分钟将 Taycan 电量 从 0 提升至 80%。此后，国内外车企纷纷布局高压快充方案，现代、起亚小鹏、比亚迪等 相继或计划发布 800V 高压快充平台，小鹏 G9 可实现“充电 5 分钟，续航 200 公里”。我们 认为，800V 架构时代正加速到来。
此外，800V 系统可有效减少车身重量，实现续航提升。在相同功率的情况下，800V 系统 较 400V 系统电流降低一半，可减少系统热损耗及导线横截面。根据 e-technology 的估算， 以 100kWh 的电池为例，从 400V 电车系统提升为 800V 电车系统，由于电池散热减重及导 线质量降低可以推动整车实现 25kg 的重量降低，从而提升续航。
主逆变器：800V 系统下 SiC MOSFET 大显身手，降低主逆变器损耗及体积
目前已有多家车企在主逆变器中采用 SiC MOSFET 方案替代 IGBT 方案，如特斯拉 Model 3、 比亚迪汉高性能版等。Model 3 共用到 48 颗意法半导体的 SiC MOSFET，如果仍采用 Model X 的英飞凌的 IGBT，则需要 54-60 颗。即使成本上升 370 美金左右（按照艾睿供应商网站 价格计算，实际大批量采购价格更低），但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择 SiC 方案。我们认为 800V 架构下 SiC MOSFET 在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步 提升。考虑到成本因素，会率先在中高端车型上使用。
1）损耗更低：根据 ST 的数据，800V 系统下，1200V SiC MOSFET 较 IGBT 总损耗更低， 在常用的 25%负载下，SiC MOSFET 损耗最多低于 IGBT 80%，在 100%负载下，SiC MOSFET 损耗最多低于 IGBT 60%。
2）高压下性能优势更加明显：在 400V 左右的直流母线电压下，需要最大工作电压在 650V 左右的 IGBT 模块或单管。在 800V 的系统电压下，功率器件耐压需要提高到 1200V 以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了 1200V 的车规级 IGBT，但对比之下，SiC 器 件在高压下性能更好。根据 ST 的数据，在 400V 电压平台下，SiC MOSFET 能够比 IGBT 器件拥有 2-4%的效率提升；而在 750V 电压平台下其提升幅度则可增大至 3.5-8%。对比 市场上的领先 SiC MOSFET 和 IGBT 器件参数可知，1200V SiC 产品优势较 650V 产品优 势更加明显，主要体现为损耗降低幅度更大。
3）耐高温：SiC 的结温更高，能够在超过 175 度的高温下正常工作，较 IGBT 更加适合高 温环境。
4）体积节约：根据 ST，在 10kHz 工作频率和 800V 架构的情况下，对于一个 210kW 的逆 变器，若采用全 SiC MOSFET 方案替代原先 IGBT 及二极管方案：1）使用总功率器件体 积可从 600mm2 缩小 5 倍至 120mm2；2）开关损耗和总损耗分别缩小为原来的 3.9/1.9 倍。3）损耗的降低使得 PCU（电源控制单元）的尺寸得以减少，相对应的冷却系统体积也将得 以简化。
OBC：SiC 助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低
OBC 典型电路结构由前级 PFC 电路和后级 DC/DC 输出电路两部分组成。二极管和开关管 （IGBT、MOSFET 等）是 OBC 中主要应用的功率器件，采用 SiC 替代可实现更低损耗、 更小体积及更低的系统成本。
OBC 中采用 SiC 二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC 的前级 PFC 电路和后级 DC/DC 输出电路中会使用到快恢复硅基二极管。1）影响二极管损耗的指标包括正向导通 压降（VF）、反向恢复电流（IR）、输入电容（QC）和开通关断速度等。相比于硅基 SBD， SiC SBD 的最大优势在于 IR 可以忽略不计，使得反向恢复损耗极低，在 PFC 电路使用 SiC SBD 可有效提升 PFC 电路效率。同时，QC、VF 两个主要参数相比硅基二极管也具有优势， 在后级输出电路中使用 SiC SBD 可以进一步提升输出整流的效率。同时，由于 SiC 材料的 优势，SiC 二极管的结温更高，其可在更高温度下保持正常工作状态，在高温环境下较硅基 二极管更有优势。此外，SiC 二极管可实现更高频率及功率密度，从而提升系统整体效率。
全 SiC MOSFET 方案降低 OBC 系统尺寸、重量和成本，同时提高运行效率。根据Wolfspeed 的研究，采用全 SiC MOSFET 方案的 22 kW 双向 OBC，可较 Si 方案实现功率器件和栅极 驱动数量都减少 30%以上，且开关频率提高一倍以上，实现系统轻量化和整体运行效率提 升。SiC 系统在 3kW/L 的功率密度下可实现 97%的峰值系统效率，而 Si OBC 仅可在 2kW/L 的功率密度下实现 95%的效率。同时，进一步拆分成本，由于 SiC 器件的性能可减少 DC/DC 模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此，尽管相比单个 Si 基二极管和功率晶体管， SiC 基功率器件的成本更高，但整体全 SiC 方案的 OBC 成本可节约 15%左右。
SiC 器件与传统产品价差持续收窄，具备经济效益指日可待
SiC 器件价格持续下降，与硅基器件价差已缩小至 2-3 倍。SiC SBD 方面，根据 Mouser 数据显示，公开报价方面，650V的SiC SBD 2020年底与Si器件的价差在3.8倍左右；1200V 的 SiC SBD 的平均价与 Si 器件的差距在 4.5 倍左右。根据 CASA Research，实际成交价 低于公开报价。2020 年，650V 的 SiC SBD 的实际成交价格约 0.7 元/A；1200V 的 SiC SBD 价格约 1.2 元/A，较上年下降了 20%-30%，实际成交价与 Si 器件价差已经缩小至 2-2.5 倍 之间。SiC MOSFET 实际成交价格方面，根据 CASA Research，650V 的 SiC MOSFET 价格 0.9 元/A；1200V 的 SiC MOSFET 价格 1.4 元/A，较 2019 年下降幅度达 30%-40%， 与 Si 器件价差也缩小至 2.5-3 倍之间，基本达到甜蜜点，将加速 SiC MOS 器件的市场渗透。
综上，目前 SiC MOSFET 单价约为 IGBT 单价的 3-4 倍，目前主逆变器中的 IGBT 成本约 为 1500 元，若全部替换为 SiC MOSFET，考虑到器件节约，我们预计成本将增加 3000-4000 元左右。以当前成本来看，根据宁德时代、松下、LG 新能源等的电池成本数据，电动车动 力电池度电单价约为 750 元，我们认为到 2025 年有望降至 560 元；根据特斯拉、小鹏等 在售车型的电池容量，当前电动车平均电池容量约为 55kwh，在百公里电耗逐步下降及续 航里程不变的情况下，到2025 年平均电池容量有望降至 43kwh，则 2022/2025E 电池包的 价格为 41250/24000 元。
根据丰田的实验数据，采用全碳化硅模块可使续航里程提升 5-10%， 我们假设这将节约电池成本 5-10%。根据我们的测算，若仅考虑电池成本节约， 当 SiC MOSFET 成本下降到 IGBT 器件成本的 2 倍左右时，将具备经济效益。若考虑使用 SiC 带来的冷却系统节约、外围器件节约、整体空间节约等，当 SiC MOSFET 成本下降到 IGBT 成本的 2-2.5 倍时采用 SiC 方案就将具备经济效益。
预计 2025 年全球新能源汽车 SiC 市场规模将达到 30.1 亿美元
根据我们的测算，2020 年全球新能源汽车 SiC 器件及模块市场规模为 2.7 亿美元，预计到 2025 年达 30.1 亿美元，对应 CAGR 为 62.3%；由此带来的 2020 年对 SiC 晶圆（6 寸） 的消耗量达 13.7 万片，预计到 2025 年将达 199.6 万片，对应 CAGR 为 71.0%。我们认为 全球新能源汽车渗透率的快速提升将驱动 SiC 市场规模高速增长，我们采取自上而下的方 式，以新能源汽车销量为基础，考虑单车 SiC 器件或模块的价值量、不同零部件 SiC 渗透 率等假设来进行测算。我们的核心假设如下：
1）新能源汽车销量：我们预计全球新能源汽车销量将由 2020 年的 277.3 万辆增长至 2025 年的 2,121.7 万辆，对应 CAGR 为 50.2%，其中中国大陆和北美市场为主要驱动力，CAGR 分别为 56.3/79.0%。
2）SiC 渗透率：我们认为 SiC 在新能源汽车中的应用场景主要为 OBC 和主逆变器，将率 先逐步替代 MOSFET、IGBT 等方案。我们预计性能优势将使得 SiC 在 OBC 中的渗透率从 2020 年的 23.0%提升至 2025 年的 43.0%，在主逆变器中的渗透率将由 2020 年 16.0%提 升至 2025 年的 38.0%。由于小鹏、蔚来、雷诺、路虎等车企宣布将在 2022 年开始大规模 应用碳化硅方案，我们预计 SiC 方案渗透将在 2022 年开始加速。
3）单车价值量：目前在主逆变器中的应用主要为 SiC 模块，价值量较高；OBC 中主要以 单管器件为主。根据 Mouser、Digikey、特斯拉、比亚迪等数据，目前主逆变器/OBC 中 SiC 模块或器件的价值量约为 500/40 美金，我们认为随着产业链各环节的成熟、上游积极 扩产，单车碳化硅成本将逐渐下降，对 IGBT 的成本溢价将不断缩小。
4）消耗晶圆数：根据我们对 SiC 模块和器件的市场规模的测算，根据单个晶圆能够切割 SiC 模块/器件的数量，由此测算新能源汽车市场将消耗的 SiC 晶圆数。
直流充电桩：大功率充电占比提升，SiC 将加速替代
大功率直流充电桩需求旺盛，SiC 协力实现高效快充。政策方面，《2020 年政府工作报告》 中已将充电基础设施纳入新基建七大产业之一；《2020 年能源工作指导意见》中指出要加 强充电基础设施建设，提升新能源汽车的充电保障能力。直流充电方式相较家用标准交流 电充电方式速度大幅提高，一个 150kW 的直流充电器可以在大约 15 分钟内为电动汽车增 加 200 公里续航，随电动汽车渗透率进一步提高，直流电充电方案需求将同步提升。Yole 预计 2020-2025 年，全球 200kW 及以上的大功率直流充电桩数量将以超过 30%的 CAGR 增长，高于平均的 15.6%。SiC 器件和模块具备耐高温、耐高压以及低损耗等优势，可被 广泛应用于电动车直流充电方案中 AD-DC PFC、DC-DC 以及闸门驱动器等环节中，实现 更高效电动车直流充电方案。
1）SiC MOSFET 可简化直流充电桩 AC/DC 及 DC/DC 电路结构，减少器件数量实现充电 效率提升。根据英飞凌，在 DC/DC 中，使用 4 颗 1200V SiC MOSFET 替代 8 颗 650V 硅 基 MOSFET，在同样功率下，可将原来的两相全桥 LLC 电路简化为单相全桥 LLC 电路， 所用器件数量减少 50%，提升电路整体效率。同样在 AC/DC 中，使用 SiC MOSFET 可将 三相 Vienna 整流器拓扑电路简化为两相结构，器件数量减少 50%实现效率提升。同时， SiC MOSFET 的整体损耗也更小。综上，SiC 方案能使得整体充电器体积更小、功率密度 更高、充电效率更高，更好的满足快充要求。
2）SiC 二极管方案可实现效率提升及输出功率增加。根据英飞凌，在 48kHz 下，采用 SiC 二极管替代 Si 二极管，可显著降低损耗从而提升 0.8%的充电效率，可实现最多 80%输出 功率的提升。
光伏：SiC 光伏逆变器性能提升显著，广泛应用未来可期
据天科合达招股书，基于硅基器件的传统逆变器成本约占光伏发电系统 10%，却是系统能 量损耗的主要来源之一。根据英飞凌，使用 SiC MOSFET 功率模块的光伏逆变器，其转换 效率可从 98.8%提升至 99%以上，能量损耗降低 8%，相同条件下输出功率提升 27%，推 动发电系统在体积、寿命及成本上实现重要突破。英飞凌最早于 2012 年推出 CoolSiC 系列 产品应用于光伏逆变器，2020 年以来，西门子、安森美等众多厂商陆续推出相关产品，碳 化硅光伏逆变器应用进一步推广。据 CASA 数据，2020 年光伏逆变器中碳化硅器件渗透率 为 10%，预计 2025 年将增长至 50%。高效、高功率密度、高可靠和低成本为光伏逆变器 未来发展趋势，SiC 器件有望迎来广阔增量空间。
工控：SiC 模块有望在轨交、智能电网、风电等领域实现全方位渗透
轨道交通方面，碳化硅器件应用于轨道交通牵引变流器能极大发挥碳化硅器件高温、高频 和低损耗特性，提高牵引变流器装置效率，符合轨道交通大容量、轻量化和节能型牵引变 流装置的应用需求，从而提升系统的整体效能。根据 Digitimes，2014 年日本小田急电铁新 型通勤车辆配备了三菱电机 3300V、1500A 全碳化硅功率模块逆变器，开关损耗降低 55%、 体积和重量减少 65%、电能损耗降低 20%至 36%。
智能电网方面，相比其他电力电子装置， 电力系统要求更高的电压、更大的功率容量和更高的可靠性，碳化硅器件突破了硅基功率 半导体器件在大电压、高功率和高温度方面的限制所导致的系统局限性，并具有高频、高 可靠性、高效率、低损耗等独特优势，在固态变压器、柔性交流输电、柔性直流输电、高压直流输电及配电系统等应用方面推动智能电网的发展和变革。此外碳化硅功率器件在风 力发电、工业电源、航空航天等领域也已实现成熟应用。
综上，我们测算 2020 年全球 SiC 功率器件市场规模为 2.92 亿美元，受新能源车、光伏、 工控等需求驱动，预计到 2025 年将增长至 38.58 亿美元，对应 CAGR 为 67.6%。2025 年新能源车、新能源发电、工控占 SiC 功率器件市场规模比重分别为 77.88/13.71/8.41%。
射频：5G 推动 GaN-on-SiC 需求提升
5G 发展推动碳化硅基氮化镓器件需求增长，市场空间广阔。微波射频器件中功率放大器直 接决定移动终端和基站无线通讯距离、信号质量等关键参数，5G 通讯高频、高速、高功率特点对其性能有更高要求。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具备碳化硅高导热性能 和氮化镓高频段下大功率射频输出优势，在功率放大器上的应用可满足 5G 通讯对高频性能、 高功率处理能力要求。当前 5G 新建基站仍使用 LDMOS 功率放大器，但随5G 技术进一步 发展，MIMO 基站建立需使用氮化镓功率放大器，氮化镓射频器件在功率放大器中渗透率 将持续提升。
据 Yole 和 Wolfspeed 预测，2024年碳化硅基氮化镓功率器件市场有望突破 20 亿美元，2027 年进一步增长至 35 亿美元。根据我们的预测，受益 5G 通讯快速发展， 通讯频段向高频迁移，基站和通信设备需要支持高频性能的 PA，碳化硅基氮化镓射频器件 相比硅基 LDMOS 和 GaAs 的优势将逐步凸显，我们测算 2020年全球碳化硅射频器件市场 规模为 8.92 亿美元，预计到 2025 年将增长至 21.21 亿美元，对应 CAGR 为 18.9%，和 Yole 和 Wolfspeed 预测基本一致。
相比于 Si，SiC 衬底和外延为制造产业链核心环节，合计价值量占比超 60%。在传统硅基 器件制造过程中，需要在硅片基础上进行氧化、涂层、曝光、光刻、刻蚀、清洗等多个前 道处理步骤，从而产生更高附加值。SiC 材料则仅用于分立器件制造，其前端工艺难度不大， 而衬底和外延需在高温、高压环境中生成，生长速度缓慢，为关键技术难点，占据产业链 主要价值量。据 CASA Research 数据显示，在传统硅基器件中，硅片前道处理附加价值量 达到 80%，衬底和外延环节仅占 11%；而在碳化硅器件的成本构成中，衬底和外延占比分 别为 50%和 25%，合计达到 75%，为产业链中价值量最高环节。此外，衬底和外延质量对 器件性能优劣起至关重要作用，提升其良率为碳化硅器件制备主要攻克目标。
衬底：碳化硅产业链最关键环节，技术壁垒较高
碳化硅衬底应用逐步成熟，主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部 发布《重点新材料首批次应用示范指导目录（2021 年版）》，碳化硅衬底可分为两类，一类 是具有高电阻率（电阻率≥10 5Ω·cm）的半绝缘型碳化硅衬底，经 GaN 外延生长可制成 射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”，去除晶体中的各种杂质对实 现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率（电阻率 15~30mΩ·cm）的导 电型碳化硅衬底，经 SiC 外延生长可进一步制成 SiC 二极管、SiC MOSFET 等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标，在 PVT 法下，相较半绝缘型衬底其生产难度 更低，但在生产过程中，电阻率易发生分布不均情况，仍需更好扩径及掺杂控制技术。
碳化硅衬底制备需历经多道加工工序，技术难度大。碳化硅衬底行业属于技术密集型行业， 涵盖材料、热动力学、半导体物理、化学、计算机仿真模拟、机械等多学科交叉知识的应 用，其制备过程与硅基相似，但技术难度更高，需要长时间积累。具体流程包括原料合成、 晶体生长、晶碇加工、晶体切割、晶片研磨、晶片抛光、晶片检测以及晶体清洗。
其中，晶体生长为技术难度最大的环节，主流制备方式为物理气相传输法。晶体生长是碳 化硅衬底制备过程中核心难点，并直接决定碳化硅衬底电学性质。目前主要晶体生长方法 有物理气相传输法、高温化学气相积淀、升华外延、液相外延四种，其中物理气相传输法 为主流制备方式。
1）物理气相传输法（PVT），在使用 PVT 法进行 SiC 晶圆生长时，分别将高纯碳化硅微粉和 籽晶置于单晶生长炉内圆柱状密封石墨坩埚下部和顶部，并在坩埚内形成轴内温度梯度。碳 化硅微粉在高温下升华形成气相的 Si2C、SiC2、Si 等物质，在温度梯度驱动下输送到温度较 低的籽晶处，在籽晶处形核、长大，结晶形成碳化硅晶碇。PVT 法生长成本较低，当前其面 临主要挑战在于高纯度 SiC 原料获取，微量关键杂质将对生长的 SiC 晶体纯度造成严重影响。
2）高温化学气相积淀（HTCVD），HTCVD 法将高纯度的硅烷、乙烷或丙烷、氢气等气体 从底部导入反应器，先在高温区生长腔进行反应，形成碳化硅前驱物，再经过气体带动进 入低温区籽晶端前沉积形成碳化硅晶体。HTCVD 法的主要优势在于在制备过程中可有效控 制 Si 和 C 比例，从而实现晶体高纯度、高质量持续生长。相较 PVT 法，HTCVD 法使用设 备更加昂贵，普及程度较低，但该方法所生长晶体缺陷少、质量高、杂质含量较低，其重 要性正日益变大。
3）升华外延，升华外延法是在石墨坩埚等封闭环境中用固体 SiC 做原材料生长 SiC 方法， 与 PVT 法相近，但其所用温度更低（1800~2200℃）、压强更高（达到 1atm），并且原料 与晶片更接近甚至紧密接触。其最大优点在于生长速率很高，但受限于其固有缺陷即其所 生长的晶碇长度不可能超过籽晶与原料之间的距离（通常为 2mm）。
4）液相外延（LPE），LPE 法将碳化硅籽晶固定在籽晶杆前端，石墨坩埚里装填硅原料及 少量掺杂物，在加热至硅融点（1500-1700℃）以上将其融化后，经由籽晶的旋转或是加上 坩埚的反向旋转，使熔体里的碳以及掺杂元素均匀散布，再借由缓慢降温使溶液过饱和后 在籽晶前端生长出碳化硅晶体。使用 LPE 法生长晶体，其径向生长速度相对可控，可实现 无微管缺陷晶体生长，但其晶体生长成本较高。
与硅相比，碳化硅衬底性能参数指标众多、工艺难度高，制备效率低。碳化硅衬底包括直 径、微管密度、多型面积、位错密度、电阻率、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等多项核心 参数，共同影响着衬底质量高低及最终器件性能的优劣。不同于传统单晶硅使用提拉法制 备，碳化硅材料需采用气相生长方法，在密闭高温腔体内进行原子有序排列并完成晶体生 长、同时控制各参数指标十分复杂。此外，再将生长好的晶体加工成可以满足半导体器件 制造所需晶片又涉及一系列高难度工艺调控，进一步制约生产效率。稳定量产各项性能参 数指标波动较低的高质量碳化硅衬底技术壁垒较高，具体体现在以下几个方面：
1）碳化硅粉料纯度要求高，制备难。碳化硅粉料纯度直接影响生长晶体质量，需使用高纯 碳粉和高纯硅粉反应制成，而在合成过程中环境杂质多，难以获得高纯度粉料。
2）高温、高压环境中进行晶体生长，条件苛刻。碳化硅晶体气相生长环境要求温度在 2000℃ -2500℃，压力为 350Mpa，生长条件非常苛刻，而传统硅片制备仅需 1600℃左右的温度要 求。并且高温环境对设备和工艺的控制带来极高要求，在生产中需要精确调控生长温度和 压力，稍有失误将导致生长数天产品失败，直接造成时间和材料双重损失。
3）碳化硅晶体结构类型众多，杂质控制难度高。碳化硅存在 200 多种晶体结构类型，但仅 其中六方结构的 4H 型（4H-SiC）等少数几种晶体结构碳化硅为所需材料，在晶体生长过 程中，需精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速度以及气流气压等参数，否则容易 产生多晶型夹杂，降低产品良率。
4）长晶速度缓慢，扩径技术难度高。碳化硅晶体生长速度非常缓慢，每小时仅能生长 400 微米，而硅晶棒生长速度为每小时 300 毫米，两者相差近 800 倍。使用当前主流的物理气 相传输法约 7 天才能生长 2cm 左右的碳化硅晶体，而生产 1-2m 的 8 英寸硅晶棒仅需 2 天 半左右，6 英寸则只需约 1 天时间。同时，气相传输法下，碳化硅晶体生长的扩径技术难度 较大，随着晶体尺寸扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。
5）碳化硅硬度高，切割技术难度大。碳化硅莫氏硬度分布在 9.2-9.6，硬度仅次于金刚石材 料，且脆性高，属于典型硬脆材料，切割、研磨、抛光技术难度大，加工过程中易导致开裂 问题，而加工完成后衬底易存在翘曲等质量问题，工艺水平的提高需要长期的研发积累。
导电型和半绝缘型碳化硅衬底制作工艺存在差异，导电型材料整体技术难度和成本稍低。在采用主流的物理气相传输法（PVT）下，导电型 SiC 通常采用通入杂质来增强导电性， 而半绝缘型 SiC 则主要采用加入深能性掺杂剂（如 V）的方式控制电阻率。半绝缘型 SiC 衬底追求原材料的高纯净度，同时掺钒工艺较为复杂，对生产设备和技艺等要求更高，总体生产技艺难度和成本都较大，当前国产碳化硅领先企业如天科合达和天岳先进均在半绝缘型 SiC 材料上有较高的研发投入或存在专利成果。
从产出率看，根据 Wolfspeed 的数据， 导电型衬底单片平均厚度约为 350 微米，而半绝缘型衬底单片平均厚度约为 500 微米，在 使用相同晶棒进行长晶工艺生产时，导电型SiC衬底产成率约为半绝缘型SiC衬底的142%。因此，在相同生产设备和技术环境下，我们预计国内具备生产半绝缘型 SiC 衬底能力的厂 商开始生产导电型 SiC 衬底产出率将大幅提升。
海外龙头早期以导电型产品为主，从整体看导电型和半绝缘型产品同步研发。在美国 90 年 代的商业化 SiC 产品中，大部分仍为导电型 SiC 衬底，半绝缘型 SiC 所需的掺钒工艺和技 术要求导致国际厂商对该类型产品的质量和性能把握较有延迟，但从整体看目前的海外 SiC 龙头在两类产品的研发量产上基本做到了齐头并进。作为该行业的先驱，Cree 在 1993 年 已成功出品 5 款不同的 2 英寸导电型 SiC，但很快在 1998 年，公司就推出了业界首款采用 半绝缘型 SiC 加 GaN 外延层的 HEMT 器件。在 2000 年，II-VI 申请了使用钒作为补偿性掺 杂剂的生产专利，并于 2002 年同时实现了 2 英寸导电型和半绝缘型 SiC 衬底材料的量产。目前，Wolfspeed 和 II-VI 均已实现两种类型 8 英寸 SiC 衬底的量产，在两种类型 SiC 衬底 材料的生产技艺上基本保持了同步研发。
行业趋势#1：衬底尺寸不断扩大，8 英寸衬底成本优势凸显
成本优势驱动衬底大尺寸化发展。衬底直径为衡量晶体制备水平重要指标之一，目前导电 型碳化硅衬底以 6 英寸为主，8 英寸衬底开始发展，而半绝缘碳化硅衬底以 4 英寸为主，逐 渐向 6 英寸、8 英寸方向发展。单片衬底制备芯片数量随衬底尺寸增大而增多，同时边缘芯 片占比也显著改善。碳化硅晶圆从 6 英寸扩径到 8 英寸，芯片数量将由 448 增长至 845 颗， 边缘芯片占比也将从 14%减少至 7%，带来单位芯片成本大幅降低。Wolfspeed 于 2019 年 开始建设 8 英寸衬底产线，公司预计将于 2024 财年达产。Wolfspeed 表示 2024 财年 MVF 晶圆厂单颗 MOSFET 裸片成本有望降低 63%，其中 28%的降本来自良率（产量效率）提 升，25%来自规模效应，10%来自自动化带来的人工成本和生产周期改善，衬底大尺寸带 来成本优势显著。
行业趋势#2：远期产业链融合有望成为趋势
SiC 衬底、外延、器件、设备未来产业链垂直化整合趋势明显。国内外碳化硅企业积极完 善衬底、外延及器件全产业链布局。（1）国外厂商方面，意法半导体于 2019 年 12 月收购 瑞典 Norstel，开始布局 SiC 衬底及外延；II-VI 公司在 2020 年收购 Ascatron、INNOViON 以及 GE 的 SiC IP 授权，进一步垂直整合 SiC 业务。（2）国内厂商方面，三安光电宣布投 资 160 亿元建设湖南三安半导体项目，将打造国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业 链，该产线可月产 3 万片 6 英寸碳化硅晶圆。同时，碳化硅衬底、器件厂商往往与汽车等 设备制造商签订长期合作协议，加强产业链上下游协同。我们认为未来进入行业整合阶段， 头部厂商将积极进行产业链上下游延伸，以提升全产业链竞争力和市占率。
行业趋势#3：半绝缘型衬底国产化率已经较高，导电型衬底成为国产替代焦点
根据 Yole 的数据，2020 年国内厂商山东天岳在全球半绝缘型 SiC 衬底的市场份额达 30%， 与贰陆（35%）和 Wolfspeed（33%）的份额基本相当，整体市场形成寡头的局面，已经实 现较大程度的国产替代。但在另一方面，全球导电型衬底市场由国外厂商占绝对主导，2020 年，Wolfspeed 和贰陆公司合计份额超过 70%（Yole 的数据），国内厂商如天科合达具备一 定的收入规模，但整体份额较小。同时导电型衬底对应下游新能源车、光伏等高成长性市场。因此我们认为，导电型衬底将是现阶段国产替代发力的焦点区域，存在广阔替代空间。
国产衬底迭代进程加快，质量、良率等方面仍存不小差距
国产碳化硅产业起步较晚，迭代进程加快并不断追赶国际厂商。国内碳化硅产业起步较晚， 国际龙头企业如 Wolfspeed 和 II-VI 等于 20 世纪 70-80 年代设立与投入研发，分别于 1995 和 2002 年量产 2 英寸碳化硅衬底。而国内企业基本设立于 2006 年之后，最早的天科合达 也于 2006 年实现 2 英寸产品的研发和少量销售，落后海外厂商 11 年。近年来，随着国内 对碳化硅行业投资和政策扶持力度的加大，国内企业研发投入持续增加，使得从 4 英寸到 6 英寸衬底产品的量产推动用时显著短于海外龙头企业，6 寸量产时间差已由 4 寸的 9 年缩短 至 7 年左右。部分企业如天科合达和天岳先进已于 2020 年开始研发 8 英寸碳化硅晶片的生 产线。截至 2021 年，国产碳化硅厂商的 4 英寸和 6 英寸产品已基本实现量产和销售，国内 碳化硅衬底厂商的产品迭代速度正在不断加快，逐渐缩小与国际厂商的差距。
国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头，但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型 面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅 企业与海外龙头企业的产品技术参数，可以发现在产品直径、总厚度变化、电阻率、表面 粗糙度等多项指标上国产 4 英寸和 6 英寸碳化硅衬底与海外厂商产品基本相同。
制备器件 中微管的存在可能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿，各厂商都在致力于未来降低微管 密度，部分龙头碳化硅企业如 II-VI 可将 4-6寸产品的微管密度稳定控制在 0.1cm-2 以下， 国内厂商的产品微管密度基本在 0.5-5cm-2，存在差距。同时，国内公司在单晶性能一致性、 成品率、成本等单晶质量指标方面仍存在较大差距。我们认为，未来随着大尺寸产品的研发生产和中小尺寸碳化硅生产技艺的不断成熟，预计国产碳化硅产品种类不断丰富，产品 质量将比肩国际龙头企业。
国内外厂商大规模扩产，但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求
目前全球碳化硅材料行业处于加速扩产、跑马圈地的阶段，海内外厂商均加速扩产，但我 们认为应避免重复建设的问题，造成产能无序扩张。
海外龙头厂商垄断全球大部分 SiC 材料供应，纷纷掀起扩产潮。Wolfspeed、SiCrystal （ROHM）、II-VI、SK Silicon、Showa Denko 等海外厂商均推出中短期大规模扩产计划。Wolfspeed 作为全球碳化硅衬底龙头厂商，2019 年 5 月，Wolfspeed 宣布此后 5 年投资 10 亿美元用于扩大 SiC 产能，拟将 SiC 衬底产能于 2024 财年扩大至 1QFY17 的 30 倍。ROHM 自 2009 年收购 SiCrystal 后已完成全产业链布局，SiCrystal 2019 年底的 SiC 衬底产能 5 万 片/年，计划到 2025 年提升至 6 倍。
II-VI 已成功研发 8 寸 SiC 衬底，计划于 2024 年量产， 公司 2020 年产能已较 2014 年翻了 8 倍，计划在 2021-2025 年间将 6 寸衬底产能提升至 5-10 倍。ST 也通过收购 Norstel 向上游 SiC 衬底延伸，并计划到 2024 年将卡塔尼亚基地的衬底 产能较 2017 年提升 10 倍，且北雪平基地目前已成功制造首批 8 寸衬底。SK silicon2021 年 集团内碳化硅衬底产能 3 万片/年，公司计划于 2025 年提升至 60 万片/年，提升 20 倍。
本土企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐，投资金额超 240 亿元、规划年产能超 420 万片。中国企业呈现小而散的局面，综合 Yole 等第三方机构数据，2020 年国内碳化硅衬底龙头厂 商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为 8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动， 我国本土企业也开始紧追国际厂商步伐，积极投资扩产以实现衬底供应国产化。根据我们 的统计，截至 21 年底国内厂商对衬底环节的投资超过 240 亿元，规划产能超过 420 万片/ 年（等效 6 寸），对比 CASA 的数据，2020 年底国内衬底产能仅为 25.8 万片/年（等效 6 寸）。国内目前仅山东天岳、天科合达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中 科钢研等具备量产能力，且以 4 寸衬底为主。
虽然国内企业大幅扩产，但我们认为受衬底良率及质量等因素影响，实际产能或严重不足。1）根据山东天岳招股书，2020 年晶棒和衬底良率分别为 50.73/70.44%，其中衬底良率较 2018 年并未提升（下降 2.17pct）。我们认为，即使考虑国内厂商衬底良率提升，中期有效 产能仍将明显低于规划产能数；2）国内厂商在衬底质量参数方面仍和海外厂商存在一定差 距，若不能满足国内外客户的要求，落后于竞争对手尤其是海外龙头企业，在成本端较高 的压力下，或将被市场淘汰。3）能够真正实现大规模量产的企业偏少，大规模量产带来的 规模化效应降本可能只有少数企业能够实现，行业或面临一定的整合。综合以上因素，我 们认为即使海内外厂商进行大规模扩产，但考虑到真实产能的多少还需持续观察，我们认 为中短期内全球 SiC 衬底市场仍将维持供不应求的态势。
国内 SiC 材料行业整体盈利能力展望：远期毛利率有望达 45-50%左右，营业利润率有望 达 20-25%。根据 Wolfspeed 的测算，在其 40%市占率的情况下，2024 年毛利率预计将达 约 50%，营业利润率约 25%；2026 年毛利率预计将达约 50-54%，营业利润率约 25-27%。综合考虑国内材料厂商与 Wolfspeed 等海外龙头在整体规模、衬底质量、良率等方面存在 差距，但人力成本等运营开支较低，我们认为国内 SiC 材料行业整体中远期毛利率有望达 45-50%，营业利润率有望达 20-25%
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